中国光刻机领域再次传来振奋人心的消息，技术实现重大突破！
2025年3月，中国光刻机技术取得显著进展。中国科学院团队成功研发出基于全固态激光技术的深紫外光光源系统，该系统能输出193纳米波长的相干光，理论上可支撑3纳米芯片制造工艺。这一突破不仅标志着中国在光刻机核心技术上迈出关键一步，还规避了荷兰ASML等海外企业的专利壁垒，大幅降低光刻机光源的体积和能耗，减少对稀有气体的依赖。此外，国内光刻机研发在光学系统设计、光刻胶材料研发等方面也全面发力，成功研制出14nm DUV光刻机，并计划在2025年交付100台光刻机。同时，哈尔滨科研团队研发的“放电等离子体EUV光源”也取得重要进展，为2nm以下先进制程芯片制造打开新窗口。这些成果证明了中国在光刻机领域的自主创新能力和全产业链协同合作的重要性。
页:
[1]